Ozonfreie Infrarotlampe

Mon, 29 Jun 2026 06:52:00 +0800

In der Fertigungshalle sind es gerade die Prozesse des Weichen- und Hartbrennens, bei denen die Eigenschaften des Wafer wirklich festgelegt werden. Wenn man nur 1°C abweicht oder wenn ein heißer Punkt über die Oberfläche des Wafer gleitet, beginnen die kritischen Abmessungen des Wafer aus den Fugen zu geraten. Schon vor dem Eintritt des Wafer in die Ätzkammer leidet die Qualität des Wafer darunter.

Was technisch wichtig ist: Wir haben die ozongefreie Infrarotlampe so konstruiert, dass sie auf Nahinfrarotstrahlung basiert und eine Quarzhalogen-Architektur verwendet, die innerhalb der thermischen Grenzen des Semichalters bleibt. Dadurch wird eine Temperaturhomogenität von unter einem Millimeter auf der gesamten Oberfläche des Wafer gewährleistet – mit einer Genauigkeit von ±0,1°C. Ohne Ozon gibt es keine zusätzlichen Oxidantien in der Luft im Reinraum, und es kommt auch keine unerwünschte Chemie in den Photoresist während des Brennvorgangs. Die Leistung der Lampe bleibt über 5.000 Stunden hinweg stabil – innerhalb von 2%. Zudem bleiben die Steuerparameter von Cycle zu Cycle konstant.

Ozon on Compact IR Heating Units

Ozonfreie Infrarotlampe