Pengering wafer berbasis gelombang inframerah dekat (NIR)

Sun, 21 Jun 2026 06:06:29 +0800

Di fasilitas produksi ini, kita belajar untuk mengatasi berbagai masalah kecil yang muncul selama proses produksi. Perubahan suhu sebesar 0,1°C saja selama proses pemanasan dapat menyebabkan ketidakseragaman pada dimensi wafer, sehingga banyak wafer yang harus dibuang. Pemanas konvensional berusaha melawan efek inersia termal, sedangkan pengering wafer berbasis NIR tidak demikian.

Apa yang telah kami bangun, dan mengapa itu penting
Kami merancang pengering NIR ini dengan menggunakan metode pemanasan berbasis radiasi inframerah dekat. Tujuannya adalah untuk mentransfer energi secara langsung ke lapisan fotoresist, sehingga proses pemanasan berlangsung lebih cepat. Dengan cara ini, keseragaman suhu di permukaan wafer dapat dipertahankan dalam kisaran ±0,1°C, sehingga variasi antar wafer tetap berada dalam batas kontrol proses yang ditentukan. Pengering ini dapat beroperasi di ruang bersih kelas 1–100, tanpa menghasilkan partikel apa pun, sesuai hasil pemantauan secara real-time. Pengering ini dirancang untuk beroperasi 24/7, tanpa adanya waktu henti yang tidak terduga, dan umurnya bisa mencapai puluhan ribu siklus.

Pengering on Compact IR Heating Units

Pengering wafer berbasis gelombang inframerah dekat (NIR)