Lampada a infrarossi senza ozono

Mon, 29 Jun 2026 06:52:01 +0800

Nella sala di produzione, è durante le fasi di “soft bake” e “hard bake” che si determinano le dimensioni critiche del componente finale. Un errore di soli 1°C, o la presenza di punti caldi sulla superficie del wafer, possono far sì che tali dimensioni cambino. Il rendimento della produzione ne risente già prima ancora che il wafer venga introdotto nella camera di etching.

Cosa è importante dal punto di vista tecnico
Abbiamo progettato questa lampada a infrarossi priva di ozono, basata su un sistema di emissione a lunghezze d’onda vicine all’infrarosso e su una struttura a base di quarzo e ioduro, in modo da mantenere le condizioni termiche entro i limiti richiesti per i semiconduttori. Si ottiene così un’omogeneità termica a livello submillimetrico su tutta la superficie del wafer; inoltre, il controllo della temperatura avviene con precisione fino a ±0,1°C. L’assenza di ozono significa che non vi sono ossidanti aggiunti nell’aria presente nella sala pulita, e nessuna reazione chimica indesiderata può verificarsi durante il processo di cottura del wafer. La potenza della lampada rimane stabile entro il 2% anche dopo 5.000 ore di funzionamento continuo, e i tempi di funzionamento rimangono costanti ciclo dopo ciclo.

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Lampada a infrarossi senza ozono