Lâmpada infravermelha sem ozônio

Mon, 29 Jun 2026 06:52:00 +0800

Na área de produção, é durante os processos de “soft bake” e “hard bake” que o padrão desejado é definido. Se houver uma variação de apenas 1°C, ou se um ponto quente se movimentar sobre a wafer, as dimensões críticas da mesma começam a se alterar. Isso afeta negativamente a qualidade do produto, mesmo antes que a wafer chegue à câmara de etching.

O que é importante, do ponto de vista técnico Desenvolvemos lâmpadas de infravermelho sem ozônio, baseadas em emissão de luz no espectro do infravermelho próximo, além de uma estrutura de quartzo-halogênio que mantém a temperatura dentro dos limites toleráveis para semicondutores. Isso permite uma uniformidade térmica de sub-milímetros em toda a superfície da wafer, com controle preciso da temperatura, mantendo-a dentro de ±0,1°C. A ausência de ozônio significa que não há oxidantes adicionados ao ar da sala limpa, evitando também reações químicas indesejadas durante o processo de secagem da fotoresta. A saída de calor permanece estável dentro de 2% ao longo de mais de 5.000 horas, e as taxas de aumento de temperatura são consistentes de ciclo em ciclo.

Livre on Compact IR Heating Units

Lâmpada infravermelha sem ozônio