Bóng đèn phát ánh sáng hồng ngoại gần (NIR)

Sun, 28 Jun 2026 05:27:58 +0800

Trong quá trình xử lý bề mặt wafer, việc sấy khô chất phủ quang học không hề là một quá trình đơn giản chút nào. Sự thay đổi nhiệt độ chỉ 2°C trong quá trình sấy nhẹ cũng có thể gây ra sự chênh lệch về độ dày của lớp phủ trên toàn bộ số wafer được xử lý. Còn trong quá trình sấy mạnh, sự không đồng đều về nhiệt độ sẽ dẫn đến việc sản xuất ra những wafer kém chất lượng. Ngoài ra, sự hình thành các hạt vật chất trong quá trình gia nhiệt cũng có thể làm giảm tỷ lệ sản phẩm tốt trước khi quá trình in ấn hoàn tất. Do đó, cần có nguồn nhiệt ổn định, dễ kiểm soát và có tốc độ cao.

Máy sấy wafer bước sóng hồng ngoại gần (NIR)

Sun, 21 Jun 2026 06:06:29 +0800

Trong môi trường sản xuất hiện đại, người ta phải học cách kiểm soát những yếu tố nhỏ nhặt. Chỉ cần có sự thay đổi nhiệt độ dưới 0,1°C trong quá trình nung, điều này cũng có thể gây ra sai lệch về kích thước của các tấm wafer, dẫn đến việc phải loại bỏ rất nhiều tấm wafer không đạt chuẩn. Các bảng gia nhiệt truyền thống khó có thể kiểm soát được sự biến đổi nhiệt độ; trong khi đó, máy sấy bằng tia hồng ngoại lại không gặp vấn đề này.

(NIR) on Compact IR Heating Units

Bóng đèn phát ánh sáng hồng ngoại gần (NIR)

Máy sấy wafer bước sóng hồng ngoại gần (NIR)