En la planta de fabricación, es en las etapas de cocción suave y dura donde realmente se determinan las dimensiones críticas del producto final. Un desvío de solo 1°C, o si un punto caliente afecta la superficie del wafer, puede hacer que estas dimensiones cambien. La tasa de producción disminuye incluso antes de que el wafer llegue a la cámara de grabado.
Lo que es importante desde el punto de vista técnico
Hemos diseñado esta lámpara infrarroja sin ozono, basada en emisión de luz en el rango del infrarrojo cercano y en una estructura de cuarzo-halógeno que permite mantener una temperatura constante dentro de los límites tolerables para los semiconductores. Se logra así una uniformidad térmica a nivel submilimétrico en toda la superficie del wafer, con un control preciso de la temperatura dentro de un rango de ±0.1°C. Al no haber ozono, no hay oxidantes adicionales en el aire de la sala limpia, ni reacciones químicas indeseadas durante el proceso de cocción. La salida de energía permanece estable dentro del 2% durante más de 5,000 horas, y las tasas de calentamiento son constantes ciclo tras ciclo.
Por qué funciona bien en la litografía
La temperatura de cocción suave permite la eliminación de disolventes y reduce la tensión en la capa fotopolímera. La temperatura de cocción dura, por su parte, determina la adherencia de la capa fotopolímera y su resistencia al grabado. La lámpara proporciona el mismo perfil térmico tanto en el 200º wafer como en el primero, por lo que no hay variaciones en las dimensiones críticas del producto. Funciona bien en salas limpias de clase 1–100, con materiales que controlan las partículas y baja emisión de gases. Hay menos desperdicios, menos trabajo de retoque, y el consumo de energía es predecible, ya que la luz infrarroja se absorbe eficientemente por la capa fotopolímera.
Qué debe tener en cuenta al planificar su instalación
Es necesario asegurarse de que haya una línea de visión clara hacia la superficie del wafer, además de un camino térmico limpio y reflectante. Cualquier obstrucción puede causar sombras en la superficie del wafer. La lámpara funciona mejor cuando su frecuencia de emisión coincide con la banda de absorción del sustrato. Si se cambia el proceso, será necesario ajustar ligeramente la intensidad y el tiempo de exposición. Deje que la lámpara se caliente durante 30 minutos para alcanzar el equilibrio térmico y así garantizar la repetibilidad en los resultados.