Nella sala di produzione, è durante le fasi di “soft bake” e “hard bake” che si determinano le dimensioni critiche del componente finale. Un errore di soli 1°C, o la presenza di punti caldi sulla superficie del wafer, possono far sì che tali dimensioni cambino. Il rendimento della produzione ne risente già prima ancora che il wafer venga introdotto nella camera di etching.
Cosa è importante dal punto di vista tecnico
Abbiamo progettato questa lampada a infrarossi priva di ozono, basata su un sistema di emissione a lunghezze d’onda vicine all’infrarosso e su una struttura a base di quarzo e ioduro, in modo da mantenere le condizioni termiche entro i limiti richiesti per i semiconduttori. Si ottiene così un’omogeneità termica a livello submillimetrico su tutta la superficie del wafer; inoltre, il controllo della temperatura avviene con precisione fino a ±0,1°C. L’assenza di ozono significa che non vi sono ossidanti aggiunti nell’aria presente nella sala pulita, e nessuna reazione chimica indesiderata può verificarsi durante il processo di cottura del wafer. La potenza della lampada rimane stabile entro il 2% anche dopo 5.000 ore di funzionamento continuo, e i tempi di funzionamento rimangono costanti ciclo dopo ciclo.
Perché funziona bene nella litografia
La temperatura durante la fase di “soft bake” influisce sulla rimozione dei solventi e sulla tensione sulla superficie del film. La temperatura durante la fase di “hard bake”, invece, determina l’adesione del film al substrato e la sua resistenza all’etching. La lampada garantisce lo stesso profilo termico sia sul 200° wafer che sul primo wafer prodotto; quindi il controllo delle dimensioni critiche del componente rimane preciso. La lampada può essere utilizzata in sale pulite di classe 1–100, dove i materiali utilizzati sono privi di particelle e il livello di emissioni di gas è basso. Ciò riduce il numero di prodotti difettosi, necessita di meno riparazioni, e l’uso di energia rimane prevedibile, poiché i raggi infrarossi penetrano efficacemente nel fotoresist.
Cosa bisogna prendere in considerazione
Durante l’installazione, è fondamentale assicurarsi che ci sia una visuale chiara sulla superficie del wafer, oltre a un percorso termico pulito e riflettente. Qualsiasi ostacolo potrebbe causare problemi legati all’omogeneità termica. La lampada funziona al meglio quando la sua frequenza di emissione coincide con quella di assorbimento del substrato; pertanto, qualora si modifichi il processo di produzione, sarà necessario effettuare piccoli regolaggi in termini di intensità e durata dell’irradiazione. È consigliabile lasciare che la lampada si riscaldi per 30 minuti prima di utilizzarla, in modo da raggiungere l’equilibrio termico e garantire una precisione elevata nei risultati di produzione.