Berhentilah menunggu proses pemanasan menggunakan oven biasa: Mengapa pemanasan IR lebih unggul dalam proses pemprosesan separa.
Jika anda masih menggunakan udara bertekanan untuk proses pemprosesan semikonduktor yang mendalam, sebenarnya anda sedang membayar “cukai masa” setiap hari.
Fikirkan bagaimana cara kerja udara bertekanan ini. Anda memanaskan udara terlebih dahulu, dan berharap udara tersebut dapat memanaskan wafer. Ia merupakan proses yang lambat. Sama seperti cuba memanaskan sebuah bilik menggunakan pemanas yang berada di hujung koridor.
Pemanasan IR pula menghilangkan keperluan untuk menggunakan udara sebagai pengantara. Ia menggunakan radiasi elektromagnetik untuk memindahkan tenaga terus ke permukaan wafer. Tidak perlu menunggu udara untuk memanaskan wafer.
Perbezaan kelajuan antara kedua-duanya sangat ketara.
Dengan udara panas, anda perlu melawan inersia termal. Untuk mengubah suhu udara yang banyak, memerlukan masa yang lama—biasanya beberapa minit. Namun, lampu IR dapat mencapai sasaran suhu dalam masa beberapa saat sahaja.
Inilah kelebihan Rapid Thermal Processing (RTP). Jika proses memerlukan peningkatan suhu sebanyak 100°C sesaat, kaedah konveksi tidak akan mampu mencapainya. Ia mustahil secara fizikal. IR pula dapat melakukannya dengan cepat.
Namun, ada juga cabarannya. Kerana IR sangat efektif, mudah untuk melebihi suhu sasaran. Anda tidak boleh hanya “cukup dekat” dengan suhu sasaran. Anda memerlukan sensor berkelajuan tinggi—biasanya jenis K atau Platinum-Rhodium—and ia perlu diletakkan tepat di permukaan wafer.
Sensor juga perlu ringan. Jika sensor terlalu besar, ia akan menyebabkan kelewatan dalam pengukuran suhu. Sebelum kawalan suhu menyedari bahawa suhu telah meningkat, wafer sudah rosak.
Namun, ini bukanlah sihir semata-mata. Ada juga kelemahannya.
IR bersifat tertumpu. Walaupun udara bertekanan dapat meratakan suhu di seluruh ruang, IR boleh menyebabkan “titik panas” jika susunan lampu tidak tepat. Anda perlu berhati-hati dalam mengatur susunan lampu tersebut.
Selain itu, ada juga masalah berkaitan beban haba. Lampu IR yang berkuasa tinggi menghasilkan tenaga yang sangat besar. Jika sistem penyejukan tidak mencukupi, komponen elektronik akan rosak.
Namun, bagi mereka yang ingin memproses lebih banyak wafer, ini merupakan pilihan yang terbaik. Proses yang dulunya memerlukan masa 20 minit kini boleh diselesaikan dalam masa 30 saat sahaja.