На производственной площадке процесс высушивания фоторезиста совершенно не является пассивным процессом. Даже небольшое изменение температуры в 2°C во время мягкого высушивания приводит к неоднородности толщины слоя фоторезиста на всей площади поверхности Wafer. Неоднородность при жестком высушивании приводит к серьезным проблемам. Кроме того, образование частиц в процессе термических циклов может снизить качество продукции еще до завершения процесса литографии. Необходимо использовать такое нагревательное устройство, которое будет работать предсказуемо, стабильно и быстро.
Что важно с технической точки зрения
Мы используем излучатели в диапазоне ближнего инфракрасного света. Они обеспечивают однородность температурного поля на уровне менее миллиметра, благодаря чему температура на активной поверхности Wafer остается в пределах ±0,1°C. Время нагрева и охлаждения минимально — всего несколько миллисекунд. Это позволяет сохранять одинаковые условия для каждого цикла высушивания. Качество продукции остается стабильным в течение более 5,000 часов; отклонения температуры и яркости составляют менее 5%. Кварцевый корпус и специальная конструкция нити нагревателя помогают снизить количество частиц, что крайне важно для условий класса чистоты 1–100.
Почему это важно для процесса литографии
Излучатели в диапазоне ближнего инфракрасного света воздействуют напрямую на фоторезист, без нагрева стенок камеры. Это устраняет задержку нагрева и его чрезмерные значения. Профиль мягкого высушивания остается стабильным, а однородность покрытия улучшается. При жестком высушивании происходит чистая полимеризация фоторезиста без застревания растворителя, что снижает количество дефектов и улучшает выборочность этичения. В результате повышается качество продукции при первой попытке, снижается количество переработок, а также потребление энергии. Циклы высушивания становятся более короткими, а параметры нагрева — более стабильными.
Что нужно помнить
Излучатели в диапазоне ближнего инфракрасного света являются нагревателями, работающими в линейном диапазоне. Оптическая синхронизация и расстояние между излучателем и поверхностью Wafer должны соответствовать заданным параметрам; в противном случае возникает неоднородность. Пользователи должны убедиться в совместимости таких устройств с контроллерами, механизмами затворения и другими компонентами оборудования. Также необходимо обеспечить должную защиту и теплоизоляцию, чтобы избежать повреждения соседних модулей.