Trên dây chuyền lithography, một lần soft bake lệch chỉ nửa độ cũng đủ làm dịch chuyển đường cong CD và gây mất một giờ khởi đầu wafer. Chúng tôi phát triển đèn sấy xúc tác pin nhiên liệu để loại bỏ biến động này trong ngân sách nhiệt. Đèn phát ra nhiệt nhanh, nhiệt khô trong dải gần hồng ngoại (NIR) phù hợp với mức hấp thụ của photoresist, giúp loại bỏ dung môi một cách lặp lại mà không vượt quá nhiệt độ yêu cầu.
Điều quan trọng về mặt kỹ thuật
Đèn hoạt động trên dải NIR hẹp để gia nhiệt thể tích nhanh. Điều này có nghĩa là bề mặt và khối photoresist được làm nóng đồng thời — giảm trễ nhiệt và giảm gradient nhiệt. Độ đồng đều ở mức wafer giữ trong ±0,1°C trên toàn bộ vùng phơi sáng, và khả năng lặp lại nhiệt độ được duy trì chặt chẽ qua từng chu trình. Bộ phát nằm trong cụm thạch anh được thiết kế cho phòng sạch Class 1–100, với xác nhận không tạo hạt tại chỗ. Độ ổn định công suất đầu ra có độ trôi dưới 3% trong 5.000 giờ, đáp ứng yêu cầu lịch trình hoạt động 24/7 của nhà máy.
Lý do đèn được áp dụng trong xử lý photoresist: bạn cần cùng một profile nhiệt cho soft bake và hard bake, bất kể ngày hay đêm, lô sau lô. Đèn đạt điểm đặt nhanh, duy trì nhiệt độ ổn định và hạ nhiệt trơn tru — giảm số lần làm lại, cải thiện tỷ lệ thành phẩm ở node công nghệ nhỏ. Profile nhiệt sạch cũng giúp tiết kiệm năng lượng trên mỗi wafer bằng cách không thải nhiệt dư thừa vào các thiết bị gắn và hệ thống hút.
Ở khâu đóng gói, điều này đồng nghĩa với ít lần sấy lại và độ bám dính trước khi wire bond ổn định hơn.
Một vài lưu ý cần nhớ. Việc lắp đặt đòi hỏi phải phù hợp đèn với hình học buồng và hệ thống tiện ích của nhà máy — điện áp, dòng điện, lưu lượng làm mát và hệ thống hút. Cường độ đầu ra được hiệu chỉnh cho photoresist; vật liệu khác có thể cần profile NIR khác.
Hãy lên kế hoạch chạy thử nghiệm ngắn để khóa công thức với cấu trúc màng của bạn. Sau đó, quá trình giữ được tính lặp lại với việc kiểm tra và hiệu chuẩn đèn định kỳ.