在300毫米光刻线中，光刻胶烘烤过程中的0.5℃温度变化不仅会体现在数据图表上，还会导致关键尺寸出现纳米级的偏差。而这些偏差最终会体现为产量损失。在光刻和光刻胶处理过程中，温度并非一个可以随意调整的参数，而是决定工艺质量的关键因素。 从技术层面来看，什么才是最重要的？ 我们采用无卤素、适合近红外波...

在晶圆厂车间，烘烤温度偏移半度绝非小幅变化。这意味着晶圆报废、光刻胶厚度超出规格，以及即将发生的生产线停机。在光刻工艺中，温控不是可有可无的条件，而是工艺本身。 技术关键点 我们设计热模块的目标是实现晶圆级均匀性±0.1°C，因为这个数值保证了软烘烤和硬烘烤的批次间重复性。卤素和近红外加热器提供快...